bios里面各参数的中英文对照

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bios里面各参数的中英文对照

来源: 作者: 时间:2015-11-27 16:29 【

很多新手朋友们都不知道bios里面各参数的意思,于是,本文整理了中英文对照,大家可以参考下
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Above1MBMemoryTest:设置开机自检时是否检测1M以上内存。该选项已经在新的BIOS中被淘汰。由于内存价格暴跌,电脑用户安装内存容量陡然增加,开机时的大容量内存自检时间太长,今后,即使一遍的内存检测可能也会出现允许/禁止开关。

AutoConfiguration:设置为允许时,BIOS按照最佳状态设置。BIOS可以自动设置内存定时,因此会禁止一些对内存设置的修改,建议选择允许方式。

MemoryTestTickSound:是否发出内存自检的滴嗒声。如果您闲它烦,可以关闭它们。

MemoryParityErrorCheck:设置是否要设置内存奇偶校验。多在30线内存条使用时代,已经被淘汰。但把非奇偶校验内存强行进行奇偶校验设置会使电脑无法开机。

CacheMemoryController:是否使用高速缓存。不在流行的AwardBIOS中使用。

ShadowRAMOption:设置系统BIOS或显示卡BIOS是否映射到常规内存中。可以加快速度,但也可能造成死机。

InternalCacheMemory:是否使用CPU内部缓存(一级缓存)。可以提高系统性能。

ExternalCacheMemory:是否使用CPU外部缓存(主板上的二级缓存)。可以提高系统性能。AMD新的具有两级缓存的CPU的出现,使主板上的二级缓存退居成三级缓存。

ConcurrentRefresh:直译是同时发生的刷新。设置CPU在对其它I/O操作时对内存同时刷新,可以提高系统性能。

DRAMReadWaitState:设置CPU从内存读数据时的等待时钟周期。在内存比CPU慢时可以设置更多的等待。

DRAMWriteWaitState:设置CPU向内存写数据时的等待时钟周期。在内存比CPU慢时可以设置更多的等待。

SlowRefresh:对质量好的内存,保持数据的时间比较长,可以设置更长的时间周期,从而提高系统性能。

ShadowCachecable:把映射到常规内存的BIOSROM增加高速缓存,使性能更进一步。

PageMode:使内存工作于PageMode或PageInterleaved模式。

RASTimeoutCounter:使PageMode或PageInterleaved模式的工作速度更快。因为有可能会超过内存RAS周期,因此采用计数器来监视RAS周期,一旦超过RAS周期,则将周期自动复位为0。

MemoryRelocation:内存重新定位。即将384的上位内存(UpperMemoryBlock)数据转储到1MB以上的扩展内存中。

MemoryHole:有人称作内存孔洞。把内存地址15MB-16MB的区域留给一些特殊的ISA扩展卡使用,可以加速该卡工作速度或避免冲突。一般被设置成禁止,除非ISA扩展卡有专门的说明。

DRMATimingSetting:快页内存或EDO内存速度设置,通常是60ns或70ns选择,对10ns或更快的SDRAM内存无效。

FastMAtoRASDelay:设置内存地址(MemoryAddress)到内存行地址触发信号(RAS)之间的延迟时间。

DRAMWriteBrustTiming:CPU把数据写如高速缓存后,再写如内存的延迟时间。

FastRASToCASDelay:行地址触发信号到列地址触发信号之间的延迟时间。通常是RAS#下降到CAS#下降之间的时间。

DRAMLead-OffTiming:CPU读/写内存前的时间。

DRAMSpeculativeRead:设置成允许时,读内存的时间比正常时间提前一个时间周期,可以提高系统性能。

DRAMDataIntegrityMode:选择内存校验方式是Parity或ECC。

RefreshRASAssertion:设置内存的行地址刷新时间周期,对质量好的内存可以延迟刷新,从而提高系统性能。

RASRechargePeriod:内存行地址信号预先充电所需要的时间。

FastEDOPathSelect:设置选择对EDO内存读/写的快速途径,可以提高系统性能。

SDRAMRASLatency:设置SDRAM内存的行地址触发到列地址触发的时间延迟。

SDRAMRASTiming:设置系统对SDRAM内存的行地址触发时间,也即刷新时间。

PeerConcurrency:为提高系统并行,使CPU对高速缓存或内存或PCI设备,或PCI的主控信号对PCI外围设备等等操作同时进行。系统智能越高,同CPU并行的操作越多,性能提高越多。
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